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用直流磁控濺射儀可獲得單相Al膜
技術參數
輸入電壓 | AC 208V ~ 240V, 50/60 Hz |
輸入功率 | < 2000W |
輸出功率 | 電壓:1600VDC;大電流:150mA |
腔體 | 石英腔體:167mm OD. x 152mm ID x 260mm Height |
2英寸帶水冷磁控濺射頭 | |
濺射頭和樣品臺 | 一個直徑50mm不銹鋼樣品臺,樣品臺可旋轉,旋轉速率0 - 5 RPM |
配有一手動操作的擋板,包含靶頭支撐架 | |
樣品臺和靶頭之間的距離可以調節,調節范圍:60-100mm | |
控制面板 | 6" PLC集成觸摸屏控制面板,可控制真空、電流、靶材位置和基片加熱溫度 |
雙極旋片真空泵VRD-8,KF25接口 | |
附件(可選) | KF25不銹鋼波紋管 |
10L/min 循環水冷機冷卻磁控靶頭 | |
氣氛 | 含一個控制進氣的針閥和一個放氣閥 |
靶材尺寸: 50 mm dia. x 0.50 -2 mm | |
靶材 | 適合濺射Au,Ag,Cu,Al,Cr,Ti,Sn,Ni等金屬,可選購 |
可選配件 | 膜厚監測儀 |
分子泵,可獲得高真空, >10E-5 torr | |
為獲得好的薄膜強度,建議鍍膜前用等離子清洗機對基片進行清洗。 | |
500度樣品加熱臺 | |
體積 | ( L 440mm×W 330mm × H 290mm |
凈重 | 20 kg ( not included pump ) |
質保和證書 | 一年質保,終生維護 |
CE認證 | |
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